為了提供人工智慧應用所需的大量記憶體，晶片製造商已轉向高頻寬記憶體 (HBM)——一種由先進DRAM堆疊構建的高效能、低延遲架構。 雖然 DRAM 晶片的創新很重要，但 HBM的高密度和高頻寬其實是透過先進的 3D 封裝實現的。應用材料公司是材料工程領域的領導者，為HBM成長需求提供了所需的技術支援。

HBM 製造流程需要許多關鍵材料工程步驟，包括在晶圓正面和背面形成互連支柱和矽穿孔 (TSV)。

應用材料公司開發了可用以實現更高的TSV孔深寬比的介電質和金屬沉積技術，並且在通孔溝槽內提供了更好的覆蓋率。我們的Producer ^™ InVia ^™ 2 CVD 系統採用專有製程能夠低溫沉積均勻的介電質襯墊，精確遵循通孔側壁的幾何形狀。同樣，我們的Endura ^™ Ventura ^™ 2 PVD 系統增強了對金屬沉積的控制，以確保阻擋種子層的良好覆蓋，從而提供更高的電氣性能和可靠性。

除了 TSV 之外，微凸塊柱對於 HBM 堆疊的電氣和熱性能也至關重要。雖然在縮小微凸塊的尺寸和間距方面已經有了重大創新，但隨著這些凸塊及其相應的鍵合墊尺寸的縮小，接觸電阻呈指數級增長。我們獨特的Volaris ^™預清洗技術與業界領先的凸塊下金屬化 PVD 相結合，有助於降低接觸電阻和寄生功率，同時提高凸塊可靠性。與應用材料公司的Nokota ^™ ECD結合，我們在領先客戶的微凸塊製造方面佔據了重要地位。

HBM 處理面臨的另一個日益嚴峻的挑戰是堆疊非常薄的晶片，這可能會受到晶片翹曲和彎曲的阻礙。我們的Producer ^™ Avila ^™ PECVD 系統在低溫下於晶圓背面沉積一層薄介電薄膜，使晶片製造商能夠透過調節薄膜的應力來控制翹曲。