为了提供人工智能应用所需的大量内存，芯片制造商已转向高带宽内存（HBM）--一种由先进DRAM 堆叠而成的高性能、低延迟架构。 DRAM 芯片的创新固然重要，但 HBM 背后的密度和带宽是通过先进的 3D 封装实现的。 应用材料公司^®是材料工程技术领域的领导者，其技术可为业界日益广泛的 HBM 应用提供支持。

HBM 制造流程需要许多关键的材料工程步骤，包括在晶圆的正面和背面形成互连支柱和硅通孔 (TSV)。

应用材料公司已开发出介质和金属沉积技术，可实现更高宽比的 TSV，并在通孔沟槽内提供更好的覆盖率。 我们的Producer^™ InVia^™ 2 CVD 系统采用专有工艺，可在低温下沉积均匀的介质衬垫，这种衬垫可精确地遵循通孔侧壁的几何形状。 同样，我们的Endura^™ Ventura^™ 2PVD 系统加强了对金属沉积的控制，以确保良好的阻挡层-种子层覆盖，从而实现更高的电气性能和可靠性。

除 TSV 外，微凸块支柱对 HBM 堆栈的电气和热性能也至关重要。 虽然在减小微凸块的尺寸和间距方面取得了重大创新，但随着这些凸点及其相应键合垫尺寸的缩小，导线电阻也呈指数级增长。 我们独特的Volaris^™预清洁技术与业界领先的凸点下金属化 PVD 技术相结合，有助于降低导线电阻和寄生功率，同时提高凸点可靠性。 结合应用材料公司的Nokota^™ ECD，我们在领先客户的微凸点制造领域占据了重要地位。

HBM 加工面临的另一个日益严峻的挑战是堆叠非常薄的晶粒，这可能会受到晶粒翘曲和弯曲的阻碍。 我们的Producer^™ Avila^™ PECVD 系统可在低温下在晶圆背面沉积一层薄薄的介电薄膜，使芯片制造商能够通过调节薄膜的应力来控制翘曲。