先进图形化

图形化

多年来，光刻技术和材料工程技术共同发展，帮助我们不断缩小特征、提高密度。EUV（极紫外光）的诞生使我们又向前迈出了一大步，能够通过单道光刻创建 25纳米特征。 如今，我们需要打造更小的特征，EUV 双重图形化技术已经开始应用。未来，我们将迎来高数值孔径 EUV，它将取代 EUV 双重图形化，届时只需一道光刻工序。

在材料工程方面，需要做出诸多改变，才能使 EUV 微缩持续下去。首先，我们可以用抗刻蚀能力更强的薄膜取代较软的旋涂沉积膜。Stensar^™ 先进图形化薄膜可帮助客户调整 EUV 硬掩膜层以获得特定厚度和刻蚀弹性，从而在整个晶圆上实现近乎完美的 EUV 图形转印均匀性。

EUV 中的光子数量较少，会产生我们所说的随机误差，从而在图形化的线条、空间和通孔中产生多变性。 EUV 的图形越小，随机误差在我们要制作的特征中所占的比例就越大。 Sym3^™ Y 刻蚀系统使客户能够在同一腔室中刻蚀和沉积材料，从而可在将图形刻蚀到晶圆之前修复随机误差并改进 EUV 图形。

EUV 双重图形化技术常用于更高器件密度、更小尖端间距的生产。 虽然双重图形化可以有效提高特征密度，但它增加了设计和图形化的复杂性，同时还增加了耗时、耗能、耗材料和耗水的工序，增加了晶圆厂和晶圆生产的成本。Sculpta^™ 图形成形系统可帮助芯片制造商在不进行双重图形化的情况下缩小设计。

与 DUV 光刻胶相比，EUV 光刻胶更薄、更精细。如果我们使用传统的 eBeam 系统和能量来寻找随机缺陷、测量关键尺寸和套刻误差，就可能会使精细光刻胶上的图形变形。为了帮助客户在 EUV 的显影后和刻蚀后阶段进行更多检测，我们的 VeritySEM^™ CD 量测系统使用较低的能量，尽量减少与光刻胶的相互作用，并采用独特的技术来提高 EUV 图形的图像分辨率，从而在低能量下实现鲜明的明暗对比。

在 EUV 之前，边缘放置要容易得多，因为特征较大，光学刻线的一致使我们能够正确地对齐各层。然而，这些测算时使用的光学代理目标，尺寸至少是我们用 EUV 创建的特征的 10 倍。而且，双重图形化等迭代工序会带来变化，三维设计会产生应力和层间变形。利用 PROVision^™ eBeam 系统，工程师可以同时观察和测量所有 EUV 层的边缘放置。