Centris^™ Sym3^™ Y 刻蚀系统

半导体缩放持续稳步扩展到个位数节点，对芯片制造的精度和均匀性提出了越来越高的要求。在早期的技术节点，由于特征尺寸较大，所允许的刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角的变化范围更大，而不会影响到器件性能。同样，在特征表面偶尔残留的微粒也不会有损器件的可靠性。然而，在当今的先进节点上，刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角哪怕出现最微小的偏差，也可能成为致命缺陷。无缺陷的表面也必不可少。

基于极为成功的 Centris Sym3 产品，我们将其进一步完善并命名为 Centris Sym3 Y。应用于领先的存储器和晶圆代工逻辑节点上的关键导体刻蚀和 EUVL 图形化应用，现已成为应用材料公司最先进的刻蚀系统。高气导室架构与创新的脉冲射频源技术相结合，可通过快速高效地排出每次晶片通过时会累积的刻蚀副产物，实现出色的刻蚀形貌控制。极高的刻蚀选择比允许在单个腔室中依次刻蚀不同材料的多层膜，并提供生成密集封装的高深宽比结构（包括 FinFET 和新兴的环栅晶体管）所需的出色深度和形貌控制。新型专有涂层在刻蚀过程中对腔室的关键元件起到保护作用，可减少制造缺陷，提高晶圆良率。整片晶圆上晶粒之间的差异通过新颖的静电吸盘有所减少，晶圆极端边缘良率通过主动的边缘控制得以提升。

Sym3 Y 系统由多个刻蚀腔室和等离子清洁腔室组成，这些腔室配备系统智能软件，可确保每个腔室中的每道工艺都精确匹配，从而实现了大批量生产的可重复性和高生产率。

凭借无与伦比的工艺均匀性和缺陷控制，Sym3 Y 系统为客户提供了材料塑形和图形化的新方法，即使高级节点上的芯片特征越来越紧密，深宽比越来越大，材料也越来越复杂，也能实现新的 3D 结构，形成继续进行 2D 收缩的新方法。