CMP

在制造微芯片的各个阶段，晶圆表面必须做到完全平坦（经过平坦化处理）。这样做是为了去除多余的材料，或者为添加下一层电路特征创建一个完全平坦的基础。为达成此目的，芯片制造商使用一种名为化学机械平坦化（CMP）的工艺。

CMP 通过在晶圆背面施加精确的下压力并将晶圆正面压在由特殊材料（还包含化学品和研磨剂的混合物）制成的旋转垫上，从而去除晶圆正面上的多余材料，实现平坦化。为确保在整片 300 毫米晶圆上均匀地保留适量的材料，在去除材料的过程中，平坦化工艺要在晶圆上施加不同程度的下压力，同时停在正确的点上以避免抛光掉关键的底层特征。

应用材料公司的控制系统能连续测量晶圆上多个点的薄膜厚度，并每秒数次调整抛光下压力，以便在每片晶圆获得一致的抛光效果。整个 CMP 工艺只需要短短的 60 秒即可完成，包括退出 CMP 系统前的抛光后清洗（即对晶圆进行清洗、冲洗和干燥）。