ECD

在半导体器件制造中需要铺设大量铜线，ECD（电化学沉积）是最快速且最具成本效益的方法。铜线作为导线互相连接以形成完整电路。要使电路正常工作，关键是金属要完全填充这类布线的特征部位（通孔和沟槽），不留缝隙或孔洞，否则就会影响电路的可靠性和功能性。

ECD 是先进封装中的关键工艺，包括2.5/3D、球栅阵列、芯片级封装和晶圆级封装，用于 倒装芯片、扇出、扇入和混合键合等应用。虽然铜是最常见的电镀金属，但金、镍、银和锡也可以通过ECD工艺沉积。此外，ECD 还可以创建多种互连结构，包括凸点、支柱、RDL（再分布层）、TSV（硅通孔）和焊盘。

自底向上的填充与侧壁抑制之间的平衡极难实现，应用材料公司的技术成功做到了这一点，能在小于 20 纳米、深宽比大于 5:1 的特征内完成无缺陷填充。