化合物半导体由属于元素周期表中两个或多个不同族的化学元素组成,例如 III-V。与硅相比,化合物半导体具有独特的材料特性,例如直接带隙,高击穿电场和高电子迁移率,从而实现了光子、高速和高功率器件技术。在化合物半导体中的电子,其移动速度比在硅中的电子快得多,从而使处理速度提升100倍以上。
硅基半导体为当今的电子工业实现可能;而化合物半导体将推动下一波发展浪潮,从 5G 到机器人技术,到更高效的可再生能源和自动驾驶汽车。这类半导体可以在较低的电压下工作,发射和感测光,产生微波,具有磁敏性和耐热性。它们仅消耗当前材料在存储、路由、传输和检测数据上所消耗能量的一小部分。
化合物半导体将凭借更高的功率效率(对于电池供电设备至关重要)和光学特性(用于互联汽车、医疗保健和工业应用中实现新成像技术的传感器)为物联网奠定基础。
化合物半导体中的电子移动速度比硅中的电子移动速度快得多,可将处理速度提升100倍以上。