材料创建和沉积

在晶圆表面创建和精确沉积材料层方面，应用材料公司拥有业界最广泛的成套技术。可精确控制薄膜，有些薄到甚至只有一个原子厚度。在半导体制造中，需要沉积的材料包括绝缘体（例如氮化硅）、导体（例如铜和钨）以及化合物（例如铁磁材料）。我们的系统技术通过“微调”前体材料和工艺变量（例如温度、压力、电场和磁场、等离子体、流速和时间）来处理材料特性。

我们的系统产品组合提供了多种沉积方法，可对薄膜特性进行定制调整。物理气相沉积 (PVD) 是在高度真空条件下把高纯度目标材料通过溅射方式沉积到衬底上。化学气相沉积 (CVD) 将化学前体引入工艺腔，热能或等离子体能量在工艺腔中引发化学反应，将反应的副产品沉积在衬底上。原子层沉积 (ALD) 的工作原理是按专门的顺序引入反应气体，并在每个循环中沉积单个纯原子层。选择性沉积将材料精确地沉积在目标区域中，确保其不粘结在其他区域。选择性沉积正成为微缩技术的重要推动力，因为不断缩小的特征尺寸使传统的多阶段制造方法变得不切实际：例如，选择性沉积可以消除对衬垫/阻挡层“模具”的需求，从而在当今越来越小的通孔和通道中最大限度地增加靶膜的体积。选择性外延用于生长高质量的薄膜，以调整晶体管通道区域的应力，从而优化性能和功率。