Deposition Technologies for Every Device

マテリアルの創出と成膜

 

アプライド マテリアルズは、マテリアルの創出とそれをウェーハ表面へ正確に成膜することにおいて、業界で最も広範な技術を有しています。その結果、精密に制御された膜は、時に原子1個ほどの薄さのものもあります。半導体の製造で成膜されるマテリアルには、シリコンナイトライドなどの絶縁体、銅やタングステンなどの導体、強磁性材料などの化合物などがあります。当社の製造装置技術は、プリカーサ マテリアルや温度、圧力、電界、磁界、プラズマ、流量、時間といったプロセス変数を「ファイン・チューニング-微調整」することでマテリアル特性のエンジニアリングを行っています。

当社の製品ラインアップは多岐にわたる成膜方法を提供し、特有の膜特性を可能にします。物理気相成長(PVD)では、高真空下で高純度のターゲット材を基板にスパッタリングします。化学気相成長(CVD)では、化学的プリカーサがプロセスチャンバに投入され、熱またはプラズマエネルギーによって化学反応を起こし、その反応による副生成物を基板に成膜します。原子層堆積(ALD)は反応ガスをカスタマイズされた順序に沿って投入し、各サイクルにおいて1種類の純粋な原子層を成膜します。選択的成膜では、他の領域に付着することなく、狙った領域に正確にマテリアルを成膜します。形状の微細化が進むにつれて、従来のマルチステージ法は実用的ではなくなったため、スケーリングを実現していく上で選択的成膜の重要性が高まっています。例えば、選択的成膜ではライナー/バリアの「鋳型」が不要となるため、今日の微細なビアやチャネルにおいて、ターゲット膜の体積を最大化することができます。選択的エピタキシーは、トランジスタのチャネル領域におけるストレスを調整する高品質な膜の成長に使用され、性能と消費電力を最適化します。