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エッチング プロセスは、ウェーハの表面から選択した領域のみ除去し、他の材料のみ成膜することができます。
“ドライ” (プラズマ)エッチングは、回路を作成するステップで採用され、”ウエット”エッチング(薬液槽を使用)は主に、ウェーハのクリーニングに使用されます。Applied Materialsは、プラズマを使用せずに層を選択的に除去する革新的な”ドライ”除去プロセスも提供しています。通常、ウェーハの一部は、フォトレジストや、窒化シリコンのようなハードマスクなどのエッチ耐性のある”マスキング”材料でエッチングの間保護されています。
エッチングプロセスは、ウェーハから除去する膜の種類を表して、誘電体 エッチング、または導電体エッチングと呼ばれます。Applied Materialsのエッチング技術の革新は、連続する変化(たとえば、3D NAND、EUVパターニング、およびFOWLP)のますます厳しくなる要件を一貫して対処しています。