イオン注入

イオン注入 (ドーピングの一方式) は、集積回路の製造に不可欠な手法です。チップの複雑化に伴い、注入工程数が増加しています。今日、メモリを内蔵したCMOS集積回路では、注入回数が最大60回にまで達しています。

アプライド マテリアルズのラインナップは、業界で一般的に採用されている４種のインプラントシステムから構成されています。これらのうち、３種類は照準線ビームラインシステムです：高電流（低エネルギーおよび／または高ドーズアプリケーション用）、中電流（低ドーズ用）、および高エネルギー（非常に深いイオン注入用）です。４種類目はプラズマドーピングを利用するもので、極めて高いドーズが必要な場合や、照準線ビームラインシステムが届かない領域でのコンフォーマルドーピングが要求されるアプリケーション (例: 三次元FinFETトランジスタにおける側壁ドーピング) に採用されています。これらのシステムは最先端のビーム角度制御、ドーズ制御、均一性、およびウェーハ間の再現性を提供します。