離子植入

離子植入  (一種摻雜形式) 是積體電路製造中不可或缺的一環。隨著晶片設計的日益複雜，所需的離子植入的步驟亦相對增加。如今，具備嵌入式記憶體的 CMOS 積體電路可能需要高達 60 道植入步驟。

如今，具備嵌入式記憶體的 CMOS 積體電路可能需要高達 60 道植入步驟。應用材料產品系列含有業界常用的四類型植入系統。其中三類是屬於視線離子束流系統：高電流 (可供低能量和/或高劑量應用)；中電流 (供較低劑量)；高能源 (供非常深的植入)。第四類系統運用電漿摻雜，可供需要超高劑量或均勻摻雜區的應用，這些都是視線離子束流系統無法達到的區域 (例如在三維鰭式電晶體內的側壁摻雜)。這些系統可提供尖端的波束角控制、劑量控制、均勻度和晶圓對晶圓可重複性。