离子注入

离子注入（一种掺杂形式）是集成电路制造中不可或缺的一环。随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。

当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。应用材料公司的产品组合涵盖业内常见的四类注入系统。其中的三类属于视线离子束流系统：高电流（用于低能量和/或高剂量应用）；中电流（用于较低剂量）；高能量（用于非常深的注入）。第四类系统利用等离子掺杂，用于要求极高剂量的应用，或对无法通过视线束线系统到达的区域进行共形掺杂（例如，三维鳍式场效晶体管中的侧壁掺杂）。这些系统可提供卓越的波束角控制、剂量控制、均匀度和晶圆间重复性。