CVD

​​CVD​​ プロセスは、基板に1種類ないし複数の揮発性プリカーサを吸着させ、基板表面で化学反応や腐食を起こして目指す薄膜を形成します。CVDプロセスの用途は広く、パターニング膜からトランジスタ構造内や電気回路を形成する導電性メタルのレイヤ間で用いられる絶縁材料まで、アプリケーションは多岐にわたっています。(例：​​STI ​​(Shallow Trench Isolation), ​​PMD​​,​ ​IMD​​、コンフォーマルライナー、ギャップフィル導電膜）

CVDプロセスは ​​歪みエンジニアリング​​ （膜に圧縮応力や引張応力を持たせて導電率を高め、トランジスタの性能を向上させる技術）においても大きな役割を果たします。アプライド マテリアルズの各種CVDソリューションは、難しいフィーチャープロファイルを持つ複雑なトポグラフィーにおいて、ボイドフリーのギャップフィル、材料のさらなる低静電容量化によるトランジスタ速度の向上、先進モバイルテクノロジー用のウェーハレベル・パッケージング ​​WLP​​ 技術に伴う追加プロセスにも耐える堅牢性、といった重要な要求に応えます。