CMP

マイクロチップ製造のさまざまな段階において、ウェーハの表面は完全に平面（平坦化）でなければなりません。これは、表面の余分な材料を除去することや、完全に平坦な下地層を形成したのちに上層の回路層を形成することで達成されます。これを達成するために、チップメーカーは化学機械研磨（CMP）を使用します。

CMPは、正確なダウンフォースをウェーハの裏面から付加し、ウェーハ表面を薬液や砥粒の混ざった特殊材料とともに研磨パッドに押し付けることで、ウェーハ表面の余分な材料を除去して平坦化します。300mmウェーハ全面にわたって被研磨膜が均一に残るように、プロセス時にウェーハの背面からウェーハ全体にわたって異なるダウンフォースを付加しつつ、適正な残膜を維持し下層の重要な構造を残すようにプロセスを止める必要があります。

アプライド マテリアルズの制御システムは、研磨中にウェーハ全面の膜厚を複数のポイントで連続的に測定し、毎秒数回、研磨のダウンフォースを調整することで、毎回すべてのウェーハにおいて一貫した結果が出します。CMPのそれぞれのプロセスは、ウェーハの洗浄、リンス、乾燥など後洗浄を含め60秒足らずで完了します。