マテリアルの形成と除去

マテリアルの形成と除去技術は、ますます重要性が高まっています。隣接する膜や構造と共に、ターゲット膜の残りの部分を除去・損傷することなく、狙った原子のみを除去するには高い精度が求められます。

コンダクターエッチングは、デバイス製造プロセスにおいて、成膜されたメタルやシリコンといった導体・半導体材料を除去します。絶縁膜エッチングは、より強力な原子結合を有し、高いエネルギーを必要とする絶縁膜を除去します。どちらも通常、反応性イオンエッチングを採用しており、反応化学物質と高エネルギーイオンをウェーハ表面に衝突させてホールやライン、形を作ります。デバイスの寸法が小さくなり、微細で高密度な構造の正確な加工が難しさを増すにつれ、低イオンエネルギーによる原子層エッチングが台頭してきました。その一方で、高アスペクト比のNAND構造のコンタクトエッチングでは、高いイオンエネルギーが必要とされています。

選択的除去は、ラジカルベースの薬液を使用し、目視できない状況でも周辺の材料を損傷することなく、ターゲット材料を除去します。選択的除去技術は、finFETsや3D NANDフラッシュメモリアレイといった複雑な垂直構造や、新しいゲートオールアラウンド（GAA）トランジスタなどの形成に新たな自由度を提供します。

CMP（化学的機械研磨）は物理的な研磨技術で、薬液と研磨剤により、迅速かつ正確にターゲットのメタル材料と絶縁膜を除去し、次のプロセスステップに向けて強く均一に平坦な基板を実現します。垂直構造の形成には平坦性に優れた基板が必要となるため、CMPは非常に重要となります。