재료 형성 및 제거

재료 형성 및 제거는 점점 더 중요해지고 있습니다. 인접한 필름 및 구조와 함께 대상 필름의 나머지 부분을 제거하거나 손상시키지 않으면서 대상 원자를 제거하려면 정밀성이 필수적입니다.

도체 식각은 소자 제조 공정 동안 증착된 전도체 및 반도체 재료(예: 금속, 실리콘)를 제거합니다. 유전체 식각은 더 강한 원자 결합을 지니고 더 높은 에너지를 요구하는 절연 필름을 제거합니다. 두 가지 방식 모두 반응성 화학 물질과 고에너지 이온이 웨이퍼 표면과 충돌하여 구멍, 라인 및 형상을 생성하는 반응성 이온 식각을 이용합니다. 소자 크기가 줄어들고 작은 고밀도 구조의 형성이 더욱 어려워짐에 따라 이온 에너지가 낮은 원자층 식각이 새롭게 인기를 얻고 있습니다. 대조적으로 점점 더 높은 종횡비의 NAND 구조에서 식각 컨택은 높은 이온 에너지가 필요합니다.

선택적 제거는 라디컬 기반의 화학 물질을 사용하여 주변 재료를 손상시키지 않고 대상 재료를 제거하며, 시야에 없는 경우에도 동작할 수 있습니다. 선택적 제거는 finFETs, 3차원 수직 구조 낸드 메모리 어레이와 새롭게 등장하는 전면 게이트 트랜지스터 같은 복잡한 수직 구조를 형성하는 데 새로운 수준의 자유도를 제공합니다.

화학 기계적 평탄화(CMP)는 화학 물질과 연마제를 활용하는 물리 연마 기술로, 대상 금속과 유전 필름을 빠르고 정확하게 제거하여 후속 공정 단계를 위한 강력하고 균일하며 평평한 바탕을 만듭니다. CMP는 수직 구조를 만드는 데 매우 중요한데, 이는 이러한 구조가 뛰어난 빌드 기반을 필요로 하기 때문입니다.