첨단 로직 칩은 스마트폰에서 태블릿, 그리고 스마트워치에 이르기까지 일상에서 사용하는 거의 모든 기기에서 찾아볼 수 있습니다. 스마트폰의 핵심은 CPU, 즉 중앙 처리 장치입니다. 해당 부품은 사용자 경험을 결정하며, 따라서 성능 및 배터리 수명이 중요합니다. 칩 제조업체는 첨단 트랜지스터 설계 및 공정 기술의 한계를 뛰어넘고 있습니다. 오늘날, 최첨단 로직 기술에 기반한 최신 스마트폰 프로세서는 160억 개 이상의 트랜지스터와 320억 개 이상의 트랜지스터 컨택을 포함합니다.

이러한 첨단 로직 기술은 지난 수십 년간 등장한 여러 공정 혁신의 정점입니다. 이제 첨단 FinFET 시대에 진입했으며, 업계는 전면 게이트(GAA)라고 하는 새로운 트랜지스터 아키텍처로 전환하려 합니다.

어플라이드에서는 재료 공학 분야의 리더십을 통해 이러한 혁신을 실현하도록 지원합니다. 트랜지스터 로드맵을 실현하는 핵심 기술에는 에피택시, 이온 주입, 고속 열처리, 화학 기계적 평탄화(CMP), 선택적 재료 식각이라고 하는 특수 식각이 있습니다. 이러한 기술을 고유한 방식으로 결합하여 최상의 성능 및 전력 결과를 얻기 위해 여러 공정 단계가 진공 상태의 단일 시스템에서 이루어지는 통합 재료 솔루션(IMS^®)을 구현합니다. 

추가적인 로직 미세화를 실현하기 위해서는 트랜지스터 및 인터커넥트 설계뿐만 아니라 패터닝 및 DTCO(설계 기술 공동 최적화)에서의 혁신이 필요합니다. 이 섹션에서는 FinFET, 전면 게이트 트랜지스터, 인터커넥트 기술 및 후면 전력 공급이라는 혁신에 대해 설명합니다.

이러한 주제에 대한 자세한 내용은 당사의 마스터 클래스 및 블로그에서 확인할 수 있습니다.