오늘날, 모든 실리콘 칩은 칩 전면에서 전력이 공급됩니다. 이를 위해 10개가 넘는 배선층을 통해 트랜지스터까지 전력이 공급되어야 합니다.  이러한 방식에는 다음과 같은 두 가지 주요 한계가 있습니다. 칩의 귀중한 공간을 전선에 할당해야 하며, 트랜지스터까지 여러 층을 통과하면서 전력이 손실된다는 점입니다.

후면 전력 공급은 기존의 전면 대신 반도체 칩 또는 집적 회로(IC) 후면에 전력 공급 라인을 라우팅하는 기술을 의미합니다. 이 방식은 로직 밀도를 높이고 전력 및 성능을 향상시킵니다.

이러한 기술이 오늘날의 애플리케이션 요구 사항을 충족하는 데에는 혁신적인 소자 아키텍처, 새로운 재료 개발, 재료의 모놀리식 및 이종 집적, 더 큰 웨이퍼 크기, 단일 웨이퍼 가공이 필요합니다. 200/300mm 생산 기술의 지속적인 개발 및 발전은 전반적인 팹 생산성 향상뿐만 아니라 소자 및 수율의 개선을 제공하며, 이는 모두 반도체 제조업체에 성능 및 비용 측면에서 지속적인 이점을 의미합니다.

후면 전력 공급에는 트랜지스터 컨택 및 인터커넥트 엔지니어링에 사용되는 기술 중 다수가 적용될 것입니다. 어플라이드 머티어리얼즈는 인터커넥트 및 전공정 기술의 선두 주자로서 해당 기술의 채택을 촉진 및 가속화할 수 있는 독보적인 위치에 있습니다. 당사의 제품 포트폴리오에는 화학 기계적 평탄화(CMP), 유전체 증착, 식각, 에피택시, 임플란트, 어닐링, 원자층 증착(ALD), 금속 증착뿐만 아니라 당사의 IMS® 기능이 포함되어, 후면 전력 공급을 구현하는 데 필요한 혁신을 달성하는 핵심이 될 것입니다.

후면 전력 공급에 대한 자세한 내용은 당사의 마스터 클래스 및 블로그에서 확인할 수 있습니다.