원자층 증착(ALD)

ALD 는 오늘날 대부분의 첨단 평면 소자 및 업계의 3차원 아키텍처로의 전환을 포함하여 다양한 소자 부문 전반을 구현하는 데 매우 중요한 역할을 합니다. 또한 페시베이션, 캡슐화 및 광학 기능을 포함하여 다양한 용도로 ICAPS 전반에 걸쳐 채택되고 있습니다.

ALD 공정은 단일 원자층을 한 번에 한 층씩 칩 표면에 재료를 직접 쌓아 올려 매우 얇고 균일한 필름을 만듭니다. 이 공정은 자기 제한적 특성과 정합 증착 능력으로 인해 미세화 및 3차원을 구현하는 데 중요한 역할을 합니다. 자기 제한적 표면 반응이 원자 단위의 증착 제어가 가능하도록 합니다. 필름 두께는 수행된 반응 사이클 수에 따라서만 결정됩니다. 표면 제어 특성으로 인해 매우 높은 필름 정합성과 균일한 두께가 가능합니다. 이 두 가지는 새롭게 떠오르는 3차원 소자 설계에서 반드시 필요합니다. 또한 ALD는 저온에서 고품질 필름을 증착할 수 있어, 다른 기술로는 불가능한 새로운 집적 설계 및 기능을 구현할 수 있습니다. 어플라이드의 ALD 시스템은 웨이퍼에 다양한 산화물, 질화금속, 금속을 증착하여 첨단 트랜지스터 (FinFET), 메모리, 인터커넥트, CIS, 광전자 소자, 전력, RF 애플리케이션에서 초박막 층을 생성합니다.