파워

전력 전자 산업은 스마트폰, 태블릿 및 전기 자동차의 출현으로 인해 르네상스를 맞이하고 있습니다. 이로 인해 전력 공급 및 자동차 부문에서 전기 에너지를 전송하고 사용하는 방식을 제어하는 다양한 방법이 등장했습니다. 이러한 전환의 중심에는 애플리케이션의 요구 사항에 맞춰 전기 에너지의 흐름을 조절하는 전력 반도체 소자가 있습니다.

실리콘은 전통적으로 선택되어 온 재료이며 전력 애플리케이션을 위해 다양한 전력 소자가 개발되었습니다. 이러한 소자에는 전력 관리 IC(PMIC)용 LDMOS^*, 수직 트렌치 MOSFET^*, 슈퍼 정션 MOSFET, IGBT^*가 있습니다.

최근 몇 년간, 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)과 같은 밴드갭이 큰 반도체 재료를 통해 우수한 성능의 차세대 전력 소자가 구현되어, 점점 더 많은 회로 토폴로지 및 애플리케이션이 등장했습니다. 전력 소자의 부활은 전기 자동차 및 재생 에너지의 새로운 시대를 열었습니다.

실리콘 기반 전력 소자, SiC 고전압 MOSFET, GaN HEMT^*의 지속적인 최적화는 어플라이드 머티어리얼즈의 기술의 크게 의존하고 있습니다. 전력 소자 제조업체는 더 큰 기판으로 전환하며 비용 효율성을 높이고 있습니다. 실리콘 PMIC 및 개별 전력 소자는 300mm 기판으로 전환되며, SiC GaN는 200mm 기판으로 이동하고 있습니다. 에피택시, 식각, 금속 증착을 포함하는 300mm 장비에 대한 업계에서 가장 광범위하고 심도 있는 제품 포트폴리오 외에도, 어플라이드 머티어리얼즈의 포트폴리오에는 임플란트, 화학 기계적 평탄화(CMP), 유전체 증착 및 금속 증착과 같은 SiC 및 GaN 소자를 위한 특수 장치가 포함되어 있습니다.

^*LDMOS - Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor(수평 확산 금속 산화물 반도체), MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터), IGBT- Insulated-Gate Bipolar Transistor(절연 게이트 양극성 트랜지스터), HEMT - High Electron Mobility Transistor(고전자이동도 트랜지스터)