功率

智能手机、平板电脑和电动汽车的出现推动了功率电子行业的复兴。这使得输电和自动化领域出现了多种用于控制电能传输和使用的方法。功率半导体器件处于这一转变的核心，它能调节电能流以适应各种应用需求。

传统上，硅一直是功率器件的首选材料，通过硅材料已为功率应用开发出各种功率器件。这些器件包括用于电源管理集成电路（PMIC）的 LDMOS*、垂直沟槽 MOSFET*、超级结 MOSFET 和 IGBT*。

近年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体材料催生了性能卓越的新一代功率器件，进而推动了越来越多的电路拓扑结构和应用的发展。功率器件的复兴开创了电动汽车和可再生能源的新时代。

硅基功率器件、SiC 高压 MOSFET 和 GaN HEMT* 的持续优化很大程度上依赖应用材料公司的技术。功率器件制造商正在通过采用更大的衬底来提高成本效益。Si PMIC 和分立功率器件正在向 300毫米衬底过渡，而 SiC 和 GaN 则正在向 200毫米衬底过渡。除了业界广泛、深入的 300毫米设备产品组合（包括 外延、 刻蚀 和 金属沉积）外，应用材料公司的产品组合还包括用于 SiC 和 GaN 器件的专用工具，如 注入、 化学机械平坦化 (CMP)、 介质沉积 和 金属沉积。

*LDMOS——横向扩散金属氧化物半导体；MOSFET——金属氧化物半导体场效应晶体管；IGBT——绝缘栅双极晶体管；HEMT——高电子迁移率晶体管（IGBT）