满足各种器件需要的沉积技术

金属沉积

金属在半导体制造中无处不在，在许多关键应用中都有它的身影。 金属沉积采用多种技术，包括原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。 金属可用于制造开启和关闭晶体管的高速高介电金属栅极、在源极/漏极接触孔中形成低电阻率的欧姆结，以及形成控制电流精确流向的本地和后端互连，从而实现高性能、低功耗的器件。此外，金属沉积还用于形成存储器件中的字线和位线，用作电容器件的电极，以及用作衬垫和阻挡层，以增强附着力和可靠性。它们还是硬掩膜和刻蚀阻挡层中的关键图形化材料。金属在摩尔定律的第四次演进​—​​—​异构集成中发挥着关键作用。硅通孔、重布线层和混合键合焊盘利用金属互连技术将封装内的多个芯片连接在一起，使异构晶粒平台能够像一块芯片那样工作。金属在制造电源管理器件中使用的微型电感器、功率器件背面金属化以及制造各种影像传感器和通讯器件中也发挥中关键作用。