向选定区域添加原子

复杂的图形化方案、更大的深宽比、更小的通孔和沟道、更脆弱的特征以及日益增加的图形塌陷风险，这些都在加速从批量材料加工工程向选择性加工的过渡。Path

选择性工艺使用特别设计的化学和材料相互作用过程，实现以精细和精确的方式沉积和去除目标材料。选择性沉积是原子级的增材制造，这种工艺是把原子材料沉积在指定的位置。选择性去除是原子级的减材制造，只去除不需要的原子（甚至是视线之外的原子），其余的原子则留在原位。选择性刻蚀和沉积技术可用于创建和塑造微小图形；制造新颖的结构；克服技术障碍，例如与湿法工艺相关的图形塌陷、图形化中的边缘放置误差以及与晶体管导线和互连层电阻率相关的二维微缩问题。

应用材料公司在选择性沉积和选择性外延工艺领域处于行业领先地位。Endura Copper Barrier Seed IMS™用低电阻选择性ALD生成的屏障层取代了标准的高电阻通孔接口，实现了3纳米及以下的互连金属化。同样，Endura Volta Selective W CVD系统用选择性钨沉积取代了传统的金属和介电质衬里和屏障层，以降低接触电阻率并减少2D微缩的瓶颈。Endura Volta CVD钴系统为铜线和选择性钴帽提供了一个坚固的晶种层，以增强铜-介电质界面的附着力。最后，Centura Prime Epi系统在应变工程中发挥关键作用，改善了在FinFET和GAA晶体管中的硅-锗通道性能。