選定區域的原子添加

複雜的圖案化方案、更高的寬高比、更小的導孔和通道、更脆弱的結構、以及越來越高的圖案塌陷風險，正在加速市場從塊材工程轉型至選擇性製程的趨勢。

選擇性製程使用特別設計的化學品與材料相互作用，以便精密、準確地沉積及去除目標材料。選擇性沉積是原子級的加法製造，僅將原子放在需要的地方。選擇性去除是原子級的減法製造，僅去除不需要的原子－即使是那些不在視線內的原子－且其餘原子也會保留在原位。選擇性蝕刻與沉積技術可用於建立並塑造微小的圖案；製造新穎的結構；並克服了技術障礙，例如濕製程導致的圖案塌陷、圖案化過程中的邊緣放置誤差、以及電晶體接點與導線電阻的相關 2D 微縮問題。

應材在選擇性沉積和選擇性磊晶製程方面領先業界。Endura Copper Barrier Seed IMS™ 取代了標準的高電阻通孔界面，使用低電阻的選擇性原子層沉積屏障來實現3奈米及更小節點的互連金屬化。同樣地，Endura Volta Selective W CVD系統取代了傳統的金屬和介電襯墊及屏障，使用選擇性鎢沉積來降低接觸電阻，減少2D微縮的瓶頸。Endura Volta CVD Cobalt系統為銅線提供了堅固的晶種層，並使用選擇性鈷覆蓋層來加強銅-介電界面的附著力。最後，Centura Prime Epi系統在應變工程Si-Ge通道效能中發揮了關鍵作用，這些效能可見於FinFET和GAA晶體管中。