Centura^™ Prime^™ Epi

业内领先的 Centura RP Epi 系统已有近二十年的发展历史，体现了应用材料公司在外延生长领域的专业技术实力，在此基础上开发的 Centura Prime Epi，保持了该系统的核心功能，相比上代产品在设备可配置能力和工艺能力上均有提升。新系统采用单腔室配置，占地面积减少 30%，且具有更高的设备正常运行率和生产效率。对于衬底成形、原位掺杂等工艺制程，以及提升先进逻辑器件和存储器件的 PMOS 和 NMOS 晶体管性能等应用方面，两个系统可以互换使用。Centura Prime Epi 系统面向 3x 纳米及更先进节点，其工艺组合涵盖逻辑器件 finFET 和 GAA 晶体管中的源极-漏极、通道和接触孔以及内存、电源、模拟和 MEMS 领域的各种应用。

集成于 Centura 平台的专门预清洗技术可在不破坏真空的情况下满足多种应用。集成的这些工序消除了会对 3x 纳米以上先进节点器件造成损坏的 HF DIP 和后续的高温氢气烘焙工序。此外，还消除了等候时间，相比于独立系统，将界面污染减轻了一个数量级以上。这些预清洗工艺可根据应用的需要以不同组合形式集成到系统中。

Siconi^™ 预清洗技术可在低温下去除原生氧化层。Clarion^™ 技术在移除低介电常数间隔层的原生氧化层时具有高选择比。Ajax^™ 界面的自由基预清洗技术可将外延/衬底界面上的碳和氧减少约 10 倍，从而改善了外延生长，进而更有利于微缩。