Centura^® Prime^® EPI

Centura Prime Epiは、20年以上にわたり業界をリードしてきたCentura RP Epiシステムで得たエピタキシー技術に関する知見を基にしており、システムの中核となる技術を維持しつつ、装置のコンフィギュラビリティとプロセス能力を強化しました。新しいシングルチャンバ構成により、装置の稼働率と生産性を向上しつつ、占有面積を30％削減します。基板成長、in-situドーピング、さらに先端ロジック・メモリデバイスにおけるPMOS、NMOSトランジスタ性能の向上は、2つのシステム間で互換性があります。3x nmノード以降に照準を合わせ、Centura Prime Epiシステムのラインナップは、ソース／ドレイン、チャネル、FinFET向けコンタクト、ロジックのGAA、その他、メモリ、パワー、アナログ、およびMEMSの多様なアプリケーションを網羅しています。

Centuraプラットフォームにて先進のプリクリーン技術を統合し、真空下で幅広いアプリケーションに対応します。これらのステップを統合することにより、3x nmノード以降におけるデバイスの劣化の原因となるHFディップと、それに続く高温の水素ベーキング処理を省くことができます。さらに、待機時間をなくし、スタンドアロン型の装置と比べて界面の汚染を桁違いに低減します。これらのプリクリーンプロセスは、異なるアプリケーションに対して最適化ができます。

Siconi^®プリクリーン技術は、低温での自然酸化膜除去が可能です。Clarion^™技術は、Low-kスペーサーにおいて高度な選択性で自然酸化膜を除去します。Ajax^®界面、ラジカルベースのプリクリーンは、エピ基板の界面において炭素と酸素を約10倍削減することにより、エピタキシャル成長を改善し、スケーリングを促進します。