Centura^® Prime^® Epi

지난 20년간 업계를 선도해 온 Centura RP Epi 시스템을 통해 쌓아온 어플라이드만의 에피택시 전문성을 활용한 Centura Prime Epi는 장비 구성의 폭과 공정 기능을 향상시키면서 이전 시스템의 핵심을 유지합니다. 새로운 단일 챔버 구성은 30% 축소된 설치면적에서 장비 가용성과 생산성을 높입니다. 기판 형성, 인시츄 도핑(in-situ doping)과 첨단 로직 및 메모리 소자 내 PMOS 및 NMOS 트랜지스터 성능 강화를 위한 공정은 두 시스템 간에 상호교환이 가능합니다. 3x 나노미터 노드 및 그 이상을 겨냥한 Centura Prime Epi 시스템의 공정 포트폴리오는 로직 및 메모리, 전력, 아날로그와 MEMS 내 다양한 애플리케이션 분야에서의 finFET 및 GAA용 소스-드레인(source-drain), 채널과 컨택을 아우릅니다.

Centura 플랫폼에 통합된 전문 세정(pre-clean) 기술은 진공 상태를 손상시키는 일 없이 광범위한 애플리케이션 분야에 사용됩니다. 이러한 단계를 통합함으로써 3x 나노미터 노드 이상의 소자를 손상시킬 수 있는 불화수소 처리(HF dip) 및 고온 수소 열 공정 과정을 제거할 수 있게 되었습니다. 또한 공정 대기 시간을 없애고 독립체계의 공정에 비해 계면 오염도를 수십 배 이상 줄입니다. 이러한 세정 공정은 여러 공정에 적합한 조합으로 통합될 수 있습니다.

Siconi^® 세정 기술은 저온에서 자연 산화물 제거를 가능케 합니다. Clarion^™ 기술은저-유전율(low-k) 스페이서(spacer)에 대한 높은 선택비로 자연 산화물을 제거합니다. Ajax^®의 계면, 래디컬 기반 (radical-based) 세정은 에피(epi) 기판 계면의 탄소와 산소를 열 배 가량 감소시켜 에피택시(epitaxy) 성장을 개선하면서 미세화를 촉진합니다.