满足各种器件需要的沉积技术

Atomic Layer Deposition (ALD)

原子层沉积（ALD）是多个器件领域的关键推动工艺，包括当今先进的平面器件和行业向三维架构的转型。ALD 还广泛应用于 ICAPS 以实现各种用途，包括钝化保护层、封装和光学功能。

ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料，一次沉积一层，以尽可能生成更薄、更均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力，使其在推动微缩与 3D 技术发展上发挥重要的基础作用。自限式表面反应让原子级沉积可控：薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和均匀厚度，这两点是新兴 3D 器件设计的必备特性。ALD 还可以在低温下沉积高质量的薄膜，从而实现其他技术无法实现的新集成方案和功能。应用材料公司的 ALD 系统可在晶圆上面沉积各类氧化物、金属氮化物和金属物，以在先进晶体管（FinFET）、存储器、互连、CIS、光电子、电源和射频应用中形成超薄层。