逻辑扩展需要的不仅仅是缩小晶体管尺寸，还需要在晶体管导线和芯片互连模块方面进行创新。一个智能手机处理器有超过 160 亿个晶体管和超过 320 亿个通孔和导线连接。它还有超过 10 层不同尺寸的金属，其中最靠近晶体管的金属层最窄。

晶体管相当于开关，通过金属导线进行电气连接，这些导线又通过铜线或铜互连器件相互连接起来。这些互连器件用于分配电源并传递逻辑信号。随着晶体管尺寸的缩小，互连电阻急剧增加，影响了设备的功率和性能，因此需要不断改进材料和工艺技术。

作为互连工艺技术的领导者，应用材料公司通过我们在金属沉积领域的成功产品系列，实现了这一领域的创新。Endura​ 铜阻挡层 IMS​ ​系统采用选择性阻挡层沉积和回流铜技术，对于实现必要的导线和互连至关重要，从而使逻辑扩展能够在 3 纳米以下节点继续进行。

要想在 2 纳米节点以下继续微缩，就必须在互连和导线设计以及工艺技术方面取得重大突破。背面功率传输 就是这样一种创新。

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