全环绕栅极（GAA）是一种晶体管架构，它克服了 FinFET 架构所面临的挑战。GAA 采用 FinFET 的设计，并将其侧转，使沟道水平而非垂直。 GAA 并非像 FinFET 架构那样三面环绕沟道，而是四面环绕，以便更好地控制晶体管开关。 GAA 晶体管的制造采用了一套非常精确的新工艺。这有助于晶体管微缩，降低多变性，提高性能，降低功耗。
全环绕栅极借鉴了许多用于制造 FinFET 的成熟工艺。不过，还有几个 关键的新步骤 ，包括 、选择性去除 、集成材料解决方案 和 电子束量测 。
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