環柵 (GAA) 是一種克服 FinFET 架構挑戰的電晶體架構。GAA 採用 FinFET 設計並將其側轉，使通道變為水平而非垂直。GAA 不是像 FinFET 架構那樣在三個側面圍繞通道，而是在所有四個側面圍繞通道，以便更好地控制晶體管開關。GAA 電晶體的製造乃採用一組全新且極為精確的製程。這有助於實現晶體管的微縮、減少變異性，同時改善效能及功耗。
Gate-All-Around 借鑒了許多用於製造FinFET 的成熟製程。然而，有幾個關鍵的新步驟，包括外延、選擇性去除、整合材料解決方案和電子束計量。
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