邏輯縮放需要的不僅是縮小電晶體尺寸，還需要電晶體接觸和晶片互連模組的創新。 智慧型手機處理器擁有超過 160 億個電晶體和超過 320 億個通孔和接觸連接。 它還具有超過 10 層不同尺寸的金屬，其中最靠近晶體管的金屬層最窄。

電晶體的作用是開關，其電氣連接乃透過金屬接觸點，然後由銅線或銅導線進行元件間連線。 這些導線負責分配電源並布局邏輯訊號。 隨著電晶體尺寸縮小，互連電阻急劇增加，影響裝置功率和性能，需要材料和製程技術的持續進步。

作為互連製程技術的領導者，應用材料公司憑藉我們成功的金屬沉積產品套件實現了該領域的創新。 The Endura^® 屏障 IMS^® 屏障 採用選擇性阻擋層沉積和回流銅技術的系統對於實現 3 奈米及以上的邏輯縮放所需的接觸和互連至關重要。

為了繼續擴展到 2nm 節點以上，必須在互連和接觸設計以及製程技術方面取得重大突破。背面供電 就是這樣的一項創新。

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