目前所有的矽晶片都是從晶片的正面供電。 這需要透過 10 層以上的佈線將電力輸送到電晶體。 該方法主要有兩項限制：晶片上必須分配寶貴的實際區域來放置供電線路，而且在電力穿越多層達到電晶體時會損失電力。

晶背供電是指在半導體晶片或積體電路 (IC) 的背面布局供電線路的技術，而非傳統的正面供電方式。 這種方法增加了邏輯密度，同時也改善了功耗及效能。

為滿足當今的應用需求，這些技術需要創新的元件架構、新材料的開發、材料的單體與異質整合、更大的晶圓尺寸以及單晶圓製程技術。 200/300mm 生產技術的持續發展和演進帶來了元件及良率的改進，伴隨整體晶圓廠在生產效益方面的提升－這全都轉化成為半導體製造商持續的效能和成本優勢。

背面電力傳輸將使用晶體管接觸和互連工程中使用的許多技術。我們在互連和前端技術方面的領導地位使應用材料公司處於獨特的地位，能夠促進並加速該技術的採用。我們的產品組合包括化學機械平面化（CMP）、電介質沉積、蝕刻、外延、注入、退火、原子層沉積 (ALD) 和金屬沉積以及我們的IMS^®功能，這將是實現背面電力傳輸所需突破的關鍵。

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