PROVision^® 3E 電子束量測 

隨著半導體線寬不斷微縮，元件架構日益密集且越來越複雜，生產製程所涉及的步驟也越來越多，製程控制限制更為嚴格。傳統的光學量測的缺點是光學量測圖像的結果和晶片上晶粒的真實表現很難一致。因此，當今領先的晶片設計需要一種新類型的測量，比光學量測圖像式近似法、統計採樣和單層控制更強的技術。

PROVision 3E 系統結合了奈米級的解析度、高速度和穿層成像，可為現今最先進設計進行正確圖案化生成所需的數百萬數據點；這些設計包括 3nm 晶圓代工邏輯晶片、GAA 電晶體以及新世代 DRAM 和3D NAND。擁有這些能力，此系統可克服光學量測現有的盲點，執行跨晶圓以及跨晶片之多層間的準確量測，產生達到最佳晶片效能以及加速上市時間所需的多維度數據資料。

該系統有業界最領先的電子束腔體技術具有可用的最高電子密度，能夠以每小時 1000 萬次進行達 1nm 高解析度成像的精確量測。應材獨特的 Elluminator^®技術可捕獲 95% 的背向散射電子，可快速同時量測多層別的關鍵尺寸和圖形邊界置放位置。大範圍的電子束能量包括用於快速量測數百奈米深的高能量模式和用於脆弱材料和結構 ，包括 EUV 光阻之無損量測的低能量模式。應材數十年之CD SEM微距掃描式電子顯微鏡和演算法專業知識確保對於重要微距的精確量測。

PROVision 3E 系統憑藉其創新的技術特性，可改善良率、節省生產成本，並縮短新世代產品上市時間。