Provision^® 3E 電子ビーム計測

半導体のフィーチャーの微細化が進み、デバイス構造が高密度で複雑になるにつれて、ファブプロセスは工程数が増加し、プロセス制御に課せられる制限はより厳しくなっています。従来の光学的計測技術では、十分な計測がされず、意図したパターンとダイ上の実測結果との相関性を確保することが困難になっています。このため、現在の最先端チップデザインには、光学的ターゲットベースの近似や統計的サンプリング、単層制御などを超える新しい計測手法が求められています。

PROVision 3Eは、ナノメートルレベルの解像度、高速処理、レイヤ透過イメージングを組み合わせて、3nmファウンドリ・ロジックチップ、gate-all-around (GAA)トランジスタ、次世代DRAM、3D NANDなど、今日の最先端チップデザインを正確にパターン化するために必要な数百万個の計測データを提供します。これらの機能によって、光学計測技術では見えなかった部分を見通すことができ、ウェーハ全面およびチップ上の多層間での正確な計測を可能にします。多次元のデータセットを生成することができ、最高のチップ性能を実現し、市場投入を加速します。