Producer^™ Selectra^™ 刻蚀系统

Producer Selectra Etch 系统以前所未有的功能特性，进一步帮助缩减 3D 逻辑和存储芯片尺寸，从而延续摩尔定律的势头。该工艺可对一个或多个薄膜进行选择性刻蚀，以前所未有的选择比性能来除去特定材料。

在先进集成电路的芯片设计中，特征尺寸逐渐变小，深宽比变得更高，封装越来越密集。器件图形化或清洁的准确度，对最终器件的可靠性和性能至关重要。选择比不足所造成的材料去除不彻底和关键尺寸增加，对器件性能和成品率具有不利影响。高深宽比特征的图形变形（线路弯曲和图形损坏）也可能影响下一代器件的成品率。

Selectra 系统解决了所有这些问题。它独特的工艺能够实现先进 FinFET 的原子级刻蚀控制、均匀一致的 3D NAND 凹槽和高深宽比 DRAM 结构的无损清洁。

该系统采用自由基化合物来提供可调选择比，从而能够以原子级精度去除各种介电质、金属和半导体薄膜。该技术对于延伸当前的 FinFET 器件边界和支持未来的环栅结构来推进摩尔定律至关重要。