功率

在智慧型手機、平板電腦和電動車的出現推動下，電力電子產業經歷了復興。 這導致了多式各樣的方法，用於控制電力在供電和自動化領域的傳輸和使用方式。 這項轉變的關鍵核心來自於功率半導體元件，能夠調節電力流量以滿足應用所需。

矽在傳統上向來是材料首選，並為電力應用發展出各種功率元件。 其中包括用於電源管理積體電路 (PMIC) 的 LDMOS、垂直溝槽 MOSFET、超級接面 MOSFET 以及 IGBT 等元件。

近年來，寬能隙半導體材料如碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，讓效能更優越的新一代電力元件得以實現，因此而出現了越來越多的電路拓撲和應用。 電力元件的再次興起開創了電動汽車和可再生能源的新時代。

矽基功率元件、SiC 高壓 MOSFET 和 GaN HEMT* 的持續優化在很大程度上依賴於應用材料公司的技術。功率元件製造商正在透過轉向更大的基板來提高成本效率。雖然 Si PMIC 和分離功率元件正在轉向 300mm 基板，但 SiC 和 GaN 正在轉向 200mm 基板。除了業界最廣泛和最深入的 300mm 設備產品組合（包括外延、蝕刻和金屬沉積）之外，應用材料公司的產品組合還包括用於 SiC 和 GaN 裝置的專用工具，例如注入, 化學機械平坦化( CMP), 電介質沉積和金屬沉積。

^*LDMOS－橫向擴散金屬氧化物半導體，MOSFET－金屬氧化物半導體場效電晶體，IGBT－絕緣閘雙極性電晶體，HEMT－高電子遷移率電晶體