도금

ECD 는 반도체 소자 제조 시 대량으로 구리 배선을 형성하는 빠르고 비용 효율적인 방법입니다. 이러한 배선은 전기 회로를 형성하는 인터커넥트를 만드는 데 사용됩니다. 회로가 올바르게 기능하려면 전기적 신뢰성 및 기능을 약화시킬 수 있는 빈틈 또는 공극 없이 금속으로 해당 배선(비아 및 트렌치)의 형상을 완전히 충진해야 합니다.

ECD는 팬아웃, 팬인, 하이브리드 본딩과 같은 애플리케이션을 위한 2.5/3차원, 볼 그리드 어레이, 칩 스케일 패키지, 플립칩, 웨이퍼 레벨 패키지를 포함한 첨단 패키징의 주요 핵심 공정입니다. 도금에 가장 일반적으로 사용하는 금속은 구리이지만, ECD 공정을 이용하면 금, 니켈, 은, 주석도 증착할 수 있습니다. 또한 ECD는 범프, 필러, RDL, TSV 및 패드를 포함한 다중 인터커넥트 구조를 만들 수 있습니다.

Applied technologies achieve the challenging balance of bottom-up fill and sidewall suppression that produces flawless fill in features smaller than 20nm with aspect ratios greater than 5:1. (translation pending)