CMP

마이크로칩을 만드는 공정 중에 여러 번 웨이퍼의 표면은 완벽한 평탄도를 유지해야 합니다. 이는 여분의 물질을 제거하거나 그 다음 층의 회로 패턴을 형성하기 위해 완벽하게 평평한 토대를 만들기 위함입니다. 이를 위해 칩 제조사들은 화학 및 기계적 평탄화 (CMP) 공정을 거칩니다.

CMP는 웨이퍼 뒷면에 정밀한 압력을 가하여 화학 물질과 연마재가 혼합된 특수 재료의 회전 패드에 앞면을 눌러 웨이퍼 앞면에 남아 있는 여분의 재료를 제거하고 평탄화하는 공정입니다. 적절한 양의 재료가 300mm 웨이퍼 전체에 고르게 유지되려면, CMP 공정은 여분의 재료 제거 시 다양한 강도의 압력을 적용하는 동시에 중요한 기본 형상이 연마되지 않도록 적절한 지점에서 중지되어야 합니다.

어플라이드의 제어 시스템은 웨이퍼 전체의 여러 지점에서 필름 두께를 지속적으로 측정하며 매초마다 여러 차례 연마 압력을 조절하여, 모든 웨이퍼에서 일관된 결과를 만들어 냅니다. 전체 CMP 공정은 60초 정도의 짧은 시간 안에 완료되며, 여기에는 CMP 시스템을 종료하기 전 웨이퍼를 세척하고, 헹구고 건조하는 연마 후 세정 과정까지 포함됩니다.