CVD 是基板暴露在一種或多種揮發性前驅物的一個製程；這些前驅物會在基板表面上發生反應或分解，以產生所需的薄膜沉積物。CVD 製程可用於廣泛的應用領域。範圍從圖案化薄膜到電晶體結構裡和構成電路的導電金屬層之間的絕緣材料 (例如，STI、PMD、 IMD、保形線性和導體間隙填充)。
CVD 製程對應變工程也很重要，應變工程是運用壓縮應力或伸長應力薄膜透過提升傳導性來增進電晶體效能。應材的多樣性解決方案能夠滿足關鍵需求：如在要求嚴格特徵輪廓的複雜形貌圖上達到無間隙填充；生產更低的電容材料以提高電晶體速度；以及可支持先進行動技術中，採用晶圓級封裝技術而多增加的製程步驟。
