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어플라이드 머티어리얼즈는 웨이퍼 표면에 재료 층을 생성하고 정확하게 증착시키기 위한 업계에서 가장 광범위한 기술을 보유하고 있습니다. 그 결과 단일 원자만큼 얇은 두께로 필름을 정밀하게 제어할 수 있습니다. 반도체 제조 시 증착할 재료에는 절연체(예: 실리콘 질화물), 도체(예: 구리 및 텅스텐), 화합물(예: 강자성 재료)이 포함됩니다. 어플라이드 머티어리얼즈의 시스템 기술은 프리커서 재료 및 공정 변수(예: 온도, 압력, 전기 및 자기장, 플라즈마, 유량, 시간)를 "미세 조정"하여 재료 특성을 엔지니어링합니다.
어플라이드 머티어리얼즈의 시스템 포트폴리오는 필름 특성을 구체적으로 조정할 수 있는 다양한 증착 방식을 제공합니다. 물리 기상 증착(PVD) 방식은 고순도 타겟에서 고진공 상태의 기판으로 스퍼터링합니다. 화학 기상 증착(CVD) 방식은 화학 프리커서를 프로세스 챔버에 도입하여 열 또는 플라즈마 에너지가 기판의 반응 부산물을 증착하는 화학 반응을 시작합니다. 원자층 증착(ALD)은 맞춤형 시퀀스로 반응 가스를 도입하고 각 주기 동안 단일 순수 원자층을 증착하는 방식으로 동작합니다. 선택적 증착 방식에서는 재료가 다른 구역에 접착되지 않고 목표 영역에 정확하게 증착됩니다. 줄어드는 형상 크기로 인해 기존의 다단계 제조 방식이 비실용적으로 변함에 따라 선택적 증착이 중요한 미세화 방식으로 자리잡고 있습니다. 예를 들어 선택적 증착은 라이너/베리어 층 "몰드"의 필요성을 제거하여 현재 가장 작은 비아와 채널에서 대상 필름의 체적을 극대화합니다. 선택적 에피택시는 트랜지스터의 채널 영역에서 응력을 조정하기 위한 고품질 필름을 성장시키는 데 사용되며, 성능과 전력을 최적화합니다.