建立與沉積材料

應用材料擁有業界最廣泛的技術套件，可在晶圓表面上建立並準確沉積材料層。這為產業帶來了精確控制的薄膜，其中部分薄膜的厚度與單原子層一樣薄。在半導體製造過程中，沉積的材料包含諸如氮化矽絕緣體、諸如銅和鎢導體、以及諸如鐵磁材料化合物。我們的系統技術透過「微調」前驅物材料及製程參數（例如溫度、壓力、電場和磁場、電漿、流量和時間）來打造材料特性。

我們的系統產品組合提供了多種沉積法，可針對薄膜特性進行特定調整。在物理氣相沉積 (PVD) 中，材料在高真空下從高純度靶材濺射到基板上。在化學氣相沉積 (CVD) 中，化學前驅物被導入到製程反應室，熱能或電漿在此處引發化學反應，將反應的副產物沉積在基板上。原子層沉積 (ALD) 的工作方式是依照自訂的順序導入反應氣體，並在每個循環中僅沉積單一原子層。在選擇性沉積中，材料精確地沉積在目標區域，而不會接合在其他區域。由於線寬尺寸縮小，傳統的多階段製造方法變得不切實際，而選擇性沉積則成為實現微縮的重要方式：例如，選擇性沉積可以去除襯墊層／阻擋層的「模具」需求，在現今不斷縮小的導孔與通道中最大化目標薄膜的體積。選擇性磊晶可用來形成高品質的薄膜，以調節電晶體通道區域中的應力，進而最佳化性能與功率。