ECD

ECD는 반도체 소자 제조에서 대량으로 구리 배선을 형성하는 빠르고 비용 효과적인 방법입니다. 이러한 배선은 전기 회로를 형성하는 인터커넥트를 만드는 데 사용됩니다. 회로가 올바로 기능하려면 전기적 신뢰성과 기능을 약화시킬 수 있는 빈틈이나 공극 없이 금속이 이 배선(비아, 트렌치)의 형상을 완전하게 충진해야 합니다.

ECD는 2.5/3D, 볼 그리드 어레이(ball grid array, BGA), 칩 스케일 패키지, 플립칩, 팬아웃, 팬인, 하이브리드 본딩과 같은 애플리케이션을 위한 웨이퍼 레벨 패키지를 포함한 첨단 패키징의 주요 핵심 프로세스입니다. 도금에 가장 일반적으로 사용되는 금속은 구리이지만, ECD 공정을 이용하면 금과 니켈, 은, 그리고 주석도 증착될 수 있습니다. 그뿐만 아니라 ECD는 범프, 필러, RDLs, TSVs 및 패드를 포함한 다중 금속배선 구조를 생성할 수 있습니다.

어플라이드의 기술은 상향식 충진과 측벽 억제 사이의 까다로운 균형을 맞춰서 종횡비가 5:1을 초과하는 20nm 미만의 형상에서 완벽한 충진을 구현합니다. 소자 밀도가 커짐에 따라 동적 공정 제어를 통해 소자 수율을 높이기 위해 필요한 웨이퍼 내 균일한 증착을 구현할 수 있습니다.