Centris^® Sym3^® Y Etch

半導体のスケーリングが１桁台のプロセスノードへ進むにつれて、チップ製造において、さらなる精度と均一性への要求が高まっています。初期のプロセスノードでは、エッチングの深度、ラインやスペース幅、プロファイル角度に大きなばらつき幅があったとしても、デバイスの性能に影響はしませんでした。同様に、表面上にパーティクルがまれに残っていたとしても、デバイスの信頼性を損なうことはありませんでした。しかし、今日の最先端ノードでは、エッチング深度、ラインやスペース幅、プロファイル角度のわずかな違いが致命的になる可能性があります。また、欠陥のない表面も同様に非常に重要です。

実績のあるCentris Sym3のデザインを活用して、最先端メモリおよびファウンドリ・ロジックノードでのクリティカルなシリコンエッチングアプリケーションとEUVLパターニングアプリケーション向けに改良されたCentris Sym3 Yは、汎用性が高いアプライド マテリアルズの最先端のエッチング装置です。高コンダクタンス チャンバデザインと革新的なソースRFパルステクノロジーを組み合わせることで、ウェーハ処理ごとに堆積するエッチング副生成物を迅速かつ効率的に排出して、卓越したエッチングプロファイル制御を達成します。極めて高いエッチング選択性により、単一チャンバ内において異なる材料から成る多層膜の連続的なエッチングに加え、FinFETや新しいgate-all-aroundトランジスタなど高密度かつ高アスペクト比構造の製造に不可欠な深さとプロファイル制御を可能にします。エッチングプロセス中に重要なチャンバ内の部品を保護する新しい独自のコーティングにより、ウェーハ上の欠陥を削減し、歩留まりが向上します。新しい静電チャックにより、ウェーハ全体にわたるチップ間のばらつきが低減され、またアクティブエッジコントロールにより、ウェーハ最外周の歩留まりが向上します。