Centris^® Sym3^® Y Etch

半導體微縮技術持續穩定地發展到個位數節點，為晶片製造的精密度和均勻性設下了日益嚴苛的要求。在早期的節點，由於線寬尺寸較大，所允許的蝕刻深度、線寬/間距寬度或輪廓角度的差異範圍更大，而不會影響到元件效能。同樣，在線寬表面偶爾殘留的微粒也不會損害元件可靠性。然而，在今天的先進節點技術下，蝕刻深度、線寬/間距寬度或輪廓角度哪怕出現最微小的偏差，也能成為致命缺陷。並且表面無缺陷同樣地重要。

運用極為成功的 Centris Sym3 產品設計並進一步改善，使其用於尖端記憶體和邏輯代工節點裡關鍵導體蝕刻和 EUVL 圖案的應用；多功能的 Centris Sym3 Y 現已成為應用材料公司最先進的蝕刻系統。高傳導反應室架構結合創新的脈衝無線射頻源技術，可快速有效地排除每個晶圓可能累積的蝕刻副產物，實現出色的蝕刻輪廓控制。極高的蝕刻選擇性允許在單個反應室中針對多層不同材料進行連續蝕刻，以及為密集堆疊的高深寬比結構，包括 FinFETs 和新興的環繞式閘極電晶體，創造所需的優異深度和輪廓控制。透過全新獨家鍍膜，可在蝕刻製程中保護重要反應室器件，進而減少製程缺陷並提升晶圓良率。採用新型靜電吸式加熱器，可降低晶圓上晶粒之間的變異性，主動式邊緣控制可改善晶圓極邊緣之良率。

Sym3 Y 系統由多個蝕刻反應室和電漿清潔晶圓反應室組成；使用系統智慧軟體，確保每個反應室中的每個製程都能精確匹配，實現量產的再現性和高產能。

Sym3 Y 系統擁有無與倫比的製程均勻性和缺陷控制，為客戶提供了新的方法來形塑及圖案化材料，即使在先進技術下晶片線寬變得更密更小、深寬比更大、材料更複雜，也可實現全新 3D 結構，同時透過全新方式繼續 2D 微縮。