VeritySEM^™ 10 关键尺寸 (CD) 量测技术

在测量半导体器件图案时，会使用所谓的“晶圆厂尺子” ​—​​—​ CD-SEM（关键尺寸扫描电子显微镜），因为它可以给出当前最精确的亚纳米级测量结果。扫描光刻机将图案（例如线条和空间）从掩模转移到光刻胶后，会使用 CD-SEM 来测量图案的关键尺寸。通过这类测量可持续校准扫描光刻机和工艺制程，以便在刻蚀到晶圆前确保图案正确。随着 EUV 的出现，特别是高数值孔径 EUV 的问世，光刻胶越来越薄，测量器件特征的关键尺寸变得更具挑战性。我们需要更薄的光刻胶才能在可用光子数量仅为 DUV 的 十分之一的情况下开发出掩膜图案。此外，更薄的光刻胶有助于防止由 EUV 形成的密集线条相互挤挨在一起。当技术跨入高数值孔径时，光刻胶会变得更薄，以补偿高数值孔径 EUV 光刻机的聚焦深度损失。

应用材料公司的 VeritySEM^™ 10 CD-SEM 测量平台专用于测量 EUV 和高数值孔径 EUV 图形化所形成特征的关键尺寸。该系统采用业界领先的亚纳米级电子束分辨率，可快速捕获晶圆上介于 13 到 36 个精确 CD的测量值。得益于分辨率和扫描速率的提高，可以更快完成 EUV 扫描光刻机的校准，从而帮助客户加快工艺配方的开发，最大限度提升大规模量产（HVM）的良率，增加客户在光刻模块上大额投入的投资回报率。该系统采用较低能量的电子束，最大限度减少与 EUV 和高数值孔径 EUV 更薄、更易损的光刻胶发生相互作用，从而保持图案的保真度，同时保证严格的量测生产要求。