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CD-SEM(測長走査型電子顕微鏡)は、半導体デバイスのパターン計測においてサブナノメートルの精度できわめて正確に計測できるため、しばしば「ファブの定規」と称されます。CD-SEMは、リソグラフィスキャナでマスクからフォトレジストに転写されたパターン上のラインやスペース等の微細寸法を計測する際に使用されます。この計測値に基づき継続的にリソグラフィとプロセスをキャリブレーションすることで、確実に補正されたパターンがウェーハにエッチングされます。EUV、特に高NA EUVの採用によりフォトレジストはさらに薄くなり、デバイスフィーチャーの微細寸法の計測はますます困難になっています。フォトレジストをより薄くする必要があるのは、マスクパターンの現像に要するフォトンをDUV(遠紫外線)リソグラフィの10分の1に押さえなければならないからです。さらに、レジストが薄いほど、EUVで形成された高密度ラインの倒壊が防ぎやすくなります。高NA EUVの採用によりフォトレジストはさらに薄くなり、高NA EUVスキャナの焦点深度のロスを補います。
アプライド マテリアルズのVeritySEM® 10 CD-SEMは、EUVおよび高NA EUVリソグラフィでパターニングされた微細なフィーチャー寸法を測るよう特別に設計されています。この装置は、業界をリードするサブナノメートルの電子ビーム解像度を使用することにより、ウェーハ全体で13〜36か所の正確なCD測定値をすばやくキャプチャします。解像度とスキャン速度の向上により、EUVスキャナのキャリブレーションが高速化され、お客さまのプロセスレシピ開発の加速と量産歩留まりの最大化を支援し、高額なリソグラフィモジュール投資に対する利益率を高めます。低ランディングエネルギーを使用することにより、EUVおよび高NA EUVの細く繊細なフォトレジストの影響を最小限に抑え、パターンの忠実性を維持しながら厳しい計測生産要求に応えます。
VeritySEM 10は、gate-all-around(GAA)ロジックトランジスタや3D NANDメモリの計測に向上をもたらします。新しい検出器アーキテクチャを備えた最先端の後方散乱電子(BSE)技術は、3D計測とGAAの非常にアスペクト比の高いフィーチャーに使用され、厳格なマッチング能力と高解像度のeTiltイメージングを最大50%改善します。 3D NANDメモリでは、増加しているステアケース配線構造において効率的な二次電子(SE)捕集と高度なアルゴリズムを採用することより、特別に最適化された動作点を駆使して、これらの深い構造の下部にある微細寸法の描画において精度と堅牢性を向上させることができます。さらに、広視野(LFOV)画像生成機能と深い焦点深度を組み合わせることで、より厳密なマッチング能力と精度を備えた3D NANDステアケース配線構造全体の計測が可能になります。
VeritySEM 10は、世界中で1,400台以上が稼働しているVeritySEMファミリーに加わりました。VeritySEM は、BSE技術のパイオニアで、現在量産で利用可能な最も高解像度なSEM カラムを備えています。