VeritySEM^® 10 임계 치수(CD) 계측

반도체 소자 패턴을 측정할 때 CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope)은 나노미터 단위의 초정밀 측정을 가능케 하므로 종종 "룰러 오브 더 팹(ruler of the fab)"이라고도 불립니다. 리소그래피 스캐너가 패턴을 마스크에서 포토레지스트(감광액)로 전사하면 CD-SEM을 사용하여 라인, 공간 등과 같은 패턴의 크기 및 거리를 측정합니다. 이러한 측정을 통해 패턴이 웨이퍼에 식각 되기 전에 스캐너와 공정을 지속적으로 보정하여 패턴이 정확한지 확인할 수 있습니다. 포토레지스트가 EUV 및 High-NA EUV 기술을 통해 점점 더 얇아 짐에 따라 소자 형상의 크기 및 거리를 측정하는 것이 더욱 어려워지고 있습니다. EUV는 DUV 대비 10배 더 적은 광자를 사용하여 마스크 패턴을 형성하려면 더 얇은 포토레지스트가 필요합니다. 또한 얇은 레지스트를 사용하면 EUV로 형성된 조밀한 라인이 서로 무너지는 것을 방지할 수 있습니다. 또한 EUV가 High-NA EUV 기술로 전환함으로써High-NA 스캐너의 초점 심도는 더욱 작아지게 되고, 이를 보상하기 위해 레지스트는 더욱 얇아지게 되어 기존 CD-SEM으로는 더욱더 측정이 어려워지게 됩니다.

Applied VeritySEM^® 10 CD-SEM 계측 플랫폼은 EUV 및 High-NA EUV로 패터닝된 형상의크기 및 거리를 측정하도록 특별히 설계되었습니다. 해당 시스템은 업계 최고 수준의 나노미터 이하 전자빔 해상도를 사용하여 웨이퍼 전반에 걸쳐 13~36개의 정확한 CD 측정값을 빠르게 캡처합니다. 향상된 해상도와 스캔 속도를 기반으로 더 빠른 EUV 스캐너 보정이 가능하므로, 고객이 공정 레시피 개발을 가속화하고, HVM의 수율을 극대화하고, 대형 리소그래피 모듈 투자에 대한 ROI를 높일 수 있습니다. 패턴의 형태를 유지하면서 엄격한 계측 생산 요건을 충족하기 위해 낮은 랜딩 에너지를 사용하여 더 얇고 섬세한 포토레지스트와의 상호작용을 최소화합니다.