VeritySEM^® 10 關鍵尺寸 (CD) 量測

在半導體元件圖案測量方面，CD-SEM (臨界線寬掃描式電子顯微鏡) 常被稱為是「晶圓廠的標準」，因為這套系統能產生最精準的次奈米測量值。在微影成像機（lithography scanner）將圖案從光罩轉移到光阻後，可利用關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡（CD-SEM） 對其進行關鍵尺寸的量測作業，例如線條和間距。量測作業會持續調校微影製程的效能，以確保蝕刻到晶圓上的圖案是正確的。隨著EUV、特別是High-NA EUV的光阻越來越薄，量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。更薄的光阻可讓光罩圖案使用比深紫外光(deep UV) 還少 10 倍的光子顯影。除此之外，較薄的光阻有助於防止使用 EUV 成形的密集壓縮線條坍塌。隨著技術逐漸邁向新興高數值孔徑 （High-NA），光阻甚至會變得更薄，以補償新興高數值孔徑 （High-NA） EUV微影技術的焦距深度損失。

Applied VeritySEM® 10 CD-SEM 量測系統專門用來精確量測由極紫外光 （EUV） 和新興高數值孔徑 （High-NA） EUV微影技術所定義的半導體元件的關鍵尺寸 （critical dimension）。此系統提供了領先業界的次奈米電子束（eBEAM）解析度，可快速且精準地獲取晶圓上13 到 36 個關鍵尺寸量測值。提高的解析度和掃描速率讓 EUV校準得更快，有助於客戶加速製程開發、最大化大量製造的良率，以及提高大型微影製程模組的投資報酬率。為了在保有圖案保真度同時維持嚴格的量測生產標準，使用低加速電壓 (landing energy) 可讓高精密極紫外光 (EUV) 和新興高數值孔徑 (High-NA) EUV那些又薄又精緻的光阻所受到的相互作用最小化。